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XMOS器件命名规则

[日期:2014-01-08] 来源:  作者: [字体: ]

 

XMOS器件命名规则

丝印层的命名规则,CCFRTM这一分别表示为如下:
CC:逻辑核的数量;
F:产品系列 ;
R:RAM大小;
T:温度等级;
M:运行速度MIPS。
MCYYWWXX分别表示为MC表示生产厂商,YYWW 表示生产日期,XX是保留使用。LLLLLL.LL表示的是批量生产晶元的代码。
  L系列、USB系列和Analog系列命名规则如下:
XS1-芯片系列+逻辑核数量+A -SRAM大小-芯片封装+引脚数目-温度等级+运算能力
例如:XS1-U8A-128-FB217-C10表示为L系列10个逻辑核SRAM大小为128KB,封装为FBGA,引脚数目为217个,工作温度等级为商业级,运算能力为1000MIPS的XMOS器件。

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