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导致IGBT管发热的原因

[日期:2017-01-15] 来源:  作者: [字体: ]

 

  1、关瞬时功率过大
  
  开通损耗

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  增大IG,可以减小时间,进而减小功耗,但是di/dt和dv/dt都变得很大整个通路由驱动IC、RG和MOSFET组成,增大RG可以减小驱动IC的压力,但是增大MOSFET的压力。减小RG可以减小MOSFET的损耗,但是增大了对驱动IC的压力。
  
  IGBT栅极驱动功率P=FUQ,其中:
  
  F为工作频率;U为驱动输出电压的峰峰值;Q为栅极电荷,可参考IGBT模块参数手册。
  
  例如,常见IGBT驱动器(如TX-KA101)输出正电压15V,负电压-9V,则U=24V,假设F=10KHz,Q=2.8uC可计算出P=0.67w,栅极电阻应选取2W电阻,或2个1W电阻并联。
  
  P=0.225x10000x24=0.067w因此采用0805的就行减小开关频率
  
  2、开关频率多大合适
  
  3、增加RE

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