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IGBT管与三极管的不同之处

[日期:2017-01-12] 来源:  作者: [字体: ]

  从广义的讲,IGBT也是三极管,是一种特殊的三极管。绝缘栅双极晶体管(IGBT)本质上是一个场效应晶体管,只是在漏极和漏区之间多了一个P型层。根据国际电工委员会的文件建议,其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。其相当于相当于一个由MOSFET驱动的厚基区GTR,Rdr是厚基区GTR的扩展电阻。IGBT是以GTR为主导件、MOSFET为驱动件的复合结构。
  
  IGBT与三极管的关系看其结构图就一目了然了,IGBT结构图如下:

 

IGBT结构图

  IGBT结构上类似于MOSFET ,其不同点在于IGBT 是在N沟道功率MOSFET 的N+基板(漏极)上增加了一个P+ 基板(IGBT 的集电极),形成 PN 结j1 ,并由此引出漏极、栅极和源极则完全与 MOSFET 相似。 N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+区称为源区,附于其上的电极称为源极。 N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区(包括P+和P一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区(Subchannel  region )。而在漏区另一侧的 P+ 区称为漏注入区(Drain injector ),它是 IGBT 特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成 PNP 双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。
  
  为了兼顾长期以来人们的习惯, IEC 规定:源极引出的电极端子(含电极端)称为发射极端(子),漏极引出的电极端(子)称为集电极端(子)。这又回到双极晶体管的术语了。但仅此而已。
  
  IGBT管与三极管电路符号如下:

IGBT管与三极管电路符号


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