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二极管的伏安特性

[日期:2012-12-01] 来源:  作者:潘平仲 [字体: ]

  二极管的伏安特性是指将所测得的电流(ID)和电压(UD)数据,在ID-UD坐标中做出一系列相应的点,并把这些点连成一条光滑的曲线,该曲线即为二极管的伏安特性,如下图所示。有时也称为二极管的特性曲线。

  由二极管的伏安特性可知,当二极管所加正向偏压比较小时,尚不能使之导通;只有当正向偏压超过起始电压USD时(硅管0.5V,锗管0.2V)二极管才开始导通。

  当二极管充分导通时,正向偏压值(或称管压降)只在0.7V(硅管)或0.3V(锗管)左右。

 

  当二极管加上反向偏压时,并没有完全截止,而是存在反向饱和电流,但电流值极小,通常将它忽略。

  当二极管所加的反向偏压超过反向击穿电压(UBR)时,将出现“反向击穿”,在瞬间产生很大的反向电流,二极管反向击穿往往造成PN结损毁。

  由上述可见,通过对二极管伏安特性的描述,使我们对二极管电流随电压变化的规律加深了认识,为今后分析二极管在电流中的工作状态,以及正确使用二极管都打下一定基础。


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