你好,游客 登录 注册 搜索

背景:
阅读内容

数字晶体管的测试原理方法

[日期:2012-08-01] 来源:  作者:陆俊 [字体: ]

 

  数字晶体管的测试与一般小信号晶体管相比有较大的区别,主要测输入截止电压Vi(off)(7BTON),输入开启电压Vi(on)(8BTON),输出电压Vo(on)(9VCESAT),输入截止电流Ii(101EB),输出截止电流Io(off)(111CES),直流电流增益Gi(12HFE),电阻R1(22Rl),电阻R2(23R2)括号内对应表中的相应项。因电阻Rl与R2不能直接测试,要测试准确比较困难。
  
  下面以DTC114ESA举例说明测试方法。由于该管基极与发射极卜并联了一只l0kΩ电阻,基极上又串联一只l0kΩ的电阻,如图2所示。数字晶体管e-b结的特性与小信号晶体管e-b结的正反向特性有很大区别,一般晶体管的正向特性曲线如图3所示,从0.7V左右正向电流随正向电压升高迅速上升,方向特性在6V~10V左右开始雪崩击穿,像一只6V~10V的稳压二极管(特性曲线如图4所示);而数字晶体管串联及并联电阻后,输入特性曲线如图5所示。


  
  当所加正向电压小于0.7V时,晶体管可当作截止状态,e、b极两端的电压除以电流,所得的电阻R为Rl与R2之和;当所加正向电压大于0.7V时,晶体管可作为导通,此时电阻R2与b-e结正向电阻并联近似,由于并联后的总阻值仍小,因此用b、e极的电压除以电流所得的电阻约等于R1,再把R值减去Rl值,就是R2的电阻值。


  
  数字晶体管的反向特性与一般小信号晶体管的反向特性差别更大,如图6所示。
  
  由于b-e结上并联了一个电阻R2,所以,在b-e结上一加反向电压,就有反向电流(不要一看到小电流就认为是不良品),随着反向电压的增加,反向电流逐渐上升,呈现一典型电阻特性。b、e两极所加电压的差值与电流差值相比,就是电阻R(等于R1+R2)的值。当反向电压加到大于晶体管的b-e结反向击穿电压时,b-e结雪崩击穿,b-e结上并联的电阻R2被短路,但曲线不是垂直向上,因为基极里有串联电阻Rl,其倾斜部分直线的斜率(电压差除以电流差)就是电阻Rl的值,再用R值减去R,1的值就是电阻R2的值。
  
  从理论上分析,用测正向特性的方法来测两个电阻正确性比较差,因为加正向电压时,晶体管的b-e结并不要到0.7V才导通,加到0.5V电压就有一点点正向电流出现;当正向电压加到0.7V时,正向电流迅速上升,但上升曲线也不完全是一条直线,因此所测得的总电阻R及电阻Rl均有误差,从图5可看出两条线段均带有一点非线性,而用测反向特性的方法来测电阻,理论上讲准确性高,因为b-e结反向击穿前,e-b结的反向电流基本等于0,相当于完全截止,可以正确测出R,而反向雪崩击穿后电阻R2被短路,完全导通,能够正确测出Rl。


     往下看有更多相关资料

推荐文章 收藏 推荐 打印 | 整理:lishunyu22 | 阅读:
查看相关资料       晶体管  三极管 
专题文章
热门评论