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场效应晶体管的保护电路

[日期:2012-06-09] 来源:  作者:朴慧京 [字体: ]

 

  (1)过电压保护电路
  
  加到MOSFET上的浪涌电压有开关与其他MOSFET等部件产生的浪涌电压:
  
  有MOSFET自身关断时产生的浪涌电压:
  
  有MOSFET内部二极管的反向恢复特性产生的浪涌电压等。这些过电压会损坏元器件,因此要降低这些电压的影响。
  
  过电压保护基本电路如下图所示。
  
  其中下图(a)所示电路是用RC吸收浪涌电压的方式,下图(b)所示电路是再接一只二极管VD抑制浪涌电压,为防止浪涌电压的振荡,VD要采用高频开关二极管。下图(c)所示电路是用稳压二极管钳位浪涌电压的方式,而下图(d)、下图(e)所示电路是MOSFET上如果加的浪涌电压超过规定值,就使MOSFET导通的方式。下图(f)和下图(g)所示电路在逆变器电路中使用,在正负母线间接电容而吸引浪涌电压。特别是下图(g)所示电路能吸收高于电源电压的浪涌电压,吸收电路的损耗小。下图(h)所示电路是对于在感性负载(L)上并联二极管VD,能消除来自负载的浪涌电压。下图(1)所示电路是栅极串联电阻Rc,使栅极反向电压VCG选为最佳值,延迟关断时间而抑制浪涌电压的发生。

过电压保护电路


  
  (2)过电流保护电路
  
  MOSFET的过电流有两种情况,即负载短路与负载过大时产生的过电流。过电流保护的基本电路如下图所示,由电流互感器(CT)检测过电流,从而切断MOSFET的栅极信号。也可用电阻或霍尔元件替代CT。

过电流保护电路


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