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MOS管的测试方法

[日期:2011-07-12] 来源:  作者:郝铭 [字体: ]

 

  在测量晶体三极管或二极管时,一般是采用普通的万用表来判断其好坏,虽然对所判断的三极管或二极管的电气参数无法确认,但是只要方法正确对于确认晶体三极管的“好”与“坏”还是没有问题的。同样MOS管也可以用万用表来判断其“妤”与“坏”,从一般的维修来说,也可以满足需求了。测试必须采用指针式万用表(数字表是不适宜测量半导体器件的)。对于功率型MOSFET开关管都属N沟道增强型,各生产厂的产品也几乎都采用相同的TO-22()F封装形式(指用于开关电源中功率为50W~2OOW的场效应开关管),其三个电极排列也一致,即将三只引脚向下,打印型号面向自己,左侧引脚为栅极,右测引脚为源极,中间引脚为漏极,如右图所示。

  (1)万用表及相关的准备
  
  
  首先应会使用万用表,特别是欧姆挡的应用,要了解欧姆挡才会正确应用欧姆挡来测量晶体三极管及MOS管。

  对于半导体器件的测量,所用万用表的欧姆挡的欧姆中心刻度不能太大,最好小于12Ω(500型表为12Ω),这样在Rx1挡可以有较大的电流,对于PN结的正向特性判断比较准确。万用表Rx1Ok挡内部的电池最好大于9V,这样在测量PN结反相漏电流时比较准确,否则漏电也测不出来。

  现在由于生产工艺的进步,出厂的筛选、检测都很严格,我们一般只判断MOS管不漏电、不击穿短路、内部不断路、能放大就可以了,方法极为简单:用万用表Rx1Ok挡,Rx1Ok挡内部的电池一般是9V加1.5V达到10.5V,这个电压一般判断PN结点反向漏电是够了,万用表的红表笔是负电位(接内部电池的负极),万用表的黑表笔是正电位(接内部电池的正极),如上图所示。

  (2)测试步骤
  
  把红表笔接到MOS管的源极S,把黑表笔接到MOS管的漏极D,此时表针指示应该为无穷大,如图中所示。如果有阻值指示,说明被测管有漏电现象,此管不能用。
  
  保持上述状态,此时用一只100kΩ~200kΩ电阻连接于栅极和源极,如图中上图所示,这时表针指示阻值应该越小越好,一般能指示到OΩ,这时是正电荷通过1OOkΩ电阻对MOS管的栅极充电,产生栅极电场,由于电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通,所以万用表指针偏转,偏转的角度大(阻值指示指数小),证明放电性能好。
  
  此时在中上图的状态,再把连接的电阻移开,这时万用表的指针仍然应该是MOS管导通的指数不变。如中下图所示。虽然移开电阻,但是因为电阻对栅极所充的电荷并没有消失,栅极电场继续维持,内部导电沟道仍然保持,这就是绝缘栅型MOS管的特点。如果移开电阻表针会慢慢逐步的退回到高阻甚至退回到无穷大,这时应考虑该被测管栅极漏电。
  
  这时用一根导线,连接被测管的栅极和源极,万用表的指针立即返回到无穷大,如下图所示。导线的连接使被测MOS管,栅极电荷释放,内部电场消失,导电沟道也消失,所以漏极和源极之间电阻又变成无穷大。

  以上的测量是针对N沟道MOS管的测量方法,如果是P沟逍的MOS管只需把万用表的红、黑表笔调换一下,其他一样。以上的测试足以证明一只开关MOS管的好坏,如要进一步确认MOS管的各项参数,须借助专门的仪器。

 


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